מספר מוצר של יצרן:
DMNH10H028SPSQ-13
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMNH10H028SPSQ-13-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 40A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
מלאי:
2300 יחידות חדשות מק originales במלאי
12884715
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMNH10H028SPSQ-13 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
40A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
28mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
36 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2245 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.6W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerDI5060-8
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
DMNH10
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
DMNH10H028SPSQ-13DIDKR
DMNH10H028SPSQ-13DICT
DMNH10H028SPSQ-13DITR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
BSC252N10NSFGATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
12
DiGi מספר חלק
BSC252N10NSFGATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.45
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
FDMC86102
יצרן
onsemi
כמות זמינה
5035
DiGi מספר חלק
FDMC86102-DG
מחיר ליחידה
0.83
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMT40M9LPS-13
MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506
DMP21D0UT-7
MOSFET P-CH 20V 590MA SOT523
DMN2024U-7
MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 3