מספר מוצר של יצרן:
DMN90H8D5HCTI
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMN90H8D5HCTI-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 900 V 2.5A (Tc) 30W (Tc) Through Hole ITO-220AB
מלאי:
12883041
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMN90H8D5HCTI מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
900 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
7.9 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
470 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
30W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
ITO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
מספר מוצר בסיסי
DMN90
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMG7401SFGQ-13
MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
DMP3056LVT-7
MOSFET P-CH 30V 4.3A TSOT-26
DMN80H2D0SCTI
MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB
