מספר מוצר של יצרן:
DMN63D8LDWQ-7
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMN63D8LDWQ-7-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 220mA 300mW Surface Mount SOT-363
מלאי:
5540 יחידות חדשות מק originales במלאי
12884369
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMN63D8LDWQ-7 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Not For New Designs
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
220mA
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.8Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
0.87nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
22pF @ 25V
הספק - מקס'
300mW
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
חבילת מכשירים לספקים
SOT-363
מספר מוצר בסיסי
DMN63
מידע נוסף
שמות אחרים
DMN63D8LDWQ-7DIDKR
DMN63D8LDWQ-7DICT
-DMN63D8LDWQ-7DIDKR
-DMN63D8LDWQ-7DICT
-DMN63D8LDWQ-7DITR
DMN63D8LDWQ-7DITR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMN21D1UDA-7B
MOSFET 2N-CH 20V 0.455A 6DFN
DMN4026SSD-13
MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
DMC67D8UFDBQ-7
MOSFET N/P-CH 60V 0.39A 6UDFN