מספר מוצר של יצרן:
DMN6075SQ-7
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMN6075SQ-7-DG
תיאור:
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 2A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
מלאי:
1586 יחידות חדשות מק originales במלאי
12978788
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMN6075SQ-7 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
85mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
12.3 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
606 pF @ 20 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
800mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-23-3
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
מספר מוצר בסיסי
DMN6075
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
31-DMN6075SQ-7TR
31-DMN6075SQ-7CT
31-DMN6075SQ-7DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
DMN6075SQ-13
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
9872
DiGi מספר חלק
DMN6075SQ-13-DG
מחיר ליחידה
0.08
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
DMN6075S-13
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
16963
DiGi מספר חלק
DMN6075S-13-DG
מחיר ליחידה
0.05
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
DMN6075S-7
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
160963
DiGi מספר חלק
DMN6075S-7-DG
מחיר ליחידה
0.04
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AUIRL3705ZSTRL
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
DMTH10H009LFG-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
DMN14M8UFDF-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
