DMN6070SSD-13

מספר מוצר של יצרן:

DMN6070SSD-13

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMN6070SSD-13-DG

תיאור:

MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO

תיאור מפורט:

Mosfet Array 60V 3.3A 1.2W Surface Mount 8-SO

מלאי:

34621 יחידות חדשות מק originales במלאי

12883333

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

DMN6070SSD-13 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET

יצרן

Diodes Incorporated

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

תצורה

2 N-Channel (Dual)

תכונת FET

Logic Level Gate

ניקוז למתח מקור (Vdss)

60V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

3.3A

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

80mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

3V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

12.3nC @ 10V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

588pF @ 30V

הספק - מקס'

1.2W

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

חבילת מכשירים לספקים

8-SO

מספר מוצר בסיסי

DMN6070

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

DMN6070SSD-13-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

DMN6070SSD-13DITR

DMN6070SSD-13DICT

DMN6070SSD-13DIDKR

חבילה סטנדרטית

2,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

diodes

DMC1016UPD-13

MOSFET N/P-CH 12V 9.5A PWRDI50

diodes

DMC25D1UVT-13

MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26

diodes

DMT6017LDV-13

MOSFET 2N-CH 25.3A POWERDI3333

diodes

DMTH6016LSD-13

MOSFET 2N-CH 7.6A 8SO