מספר מוצר של יצרן:
DMN6069SFVW-13
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMN6069SFVW-13-DG
תיאור:
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 4A (Ta), 14A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
מלאי:
12978738
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMN6069SFVW-13 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4A (Ta), 14A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
69mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
14 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
740 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount, Wettable Flank
חבילת מכשירים לספקים
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
מספר מוצר בסיסי
DMN6069
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
31-DMN6069SFVW-13TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
DMN6069SFVWQ-7
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
DMN6069SFVWQ-7-DG
מחיר ליחידה
0.14
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
DMN6069SFVW-7
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
DMN6069SFVW-7-DG
מחיר ליחידה
0.14
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMTH4002SCTBQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V TO263 T&R
DMN2055UW-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
DMT4031LFDF-7
MOSFET BVDSS: 31V~40V U-DFN2020-
