מספר מוצר של יצרן:
DMN6013LFGQ-13
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMN6013LFGQ-13-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 10.3A (Ta), 45A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
מלאי:
12952585
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMN6013LFGQ-13 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10.3A (Ta), 45A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
13mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
55.4 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2577 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerDI3333-8
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
מספר מוצר בסיסי
DMN6013
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
DMN6013LFG-7
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
25330
DiGi מספר חלק
DMN6013LFG-7-DG
מחיר ליחידה
0.23
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
DMN6013LFGQ-7
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
1960
DiGi מספר חלק
DMN6013LFGQ-7-DG
מחיר ליחידה
0.28
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
DMN6013LFG-13
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
DMN6013LFG-13-DG
מחיר ליחידה
0.23
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIB414DK-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6
SUP60N06-12P-E3
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
NX2020N2115
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
