מספר מוצר של יצרן:
DMN33D8LDW-13
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMN33D8LDW-13-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 250mA 350mW Surface Mount SOT-363
מלאי:
12888357
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMN33D8LDW-13 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
250mA
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.5V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
1.23nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
48pF @ 5V
הספק - מקס'
350mW
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
חבילת מכשירים לספקים
SOT-363
מספר מוצר בסיסי
DMN33
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
10,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMN65D8LDWQ-13
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
DMP32D9UDA-7B
MOSFET 2P-CH 0.22A 6DFN
DMN53D0LDW-7
MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
