DMN30H4D0L-7

מספר מוצר של יצרן:

DMN30H4D0L-7

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMN30H4D0L-7-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23

תיאור מפורט:

N-Channel 300 V 250mA (Ta) 310mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

מלאי:

20142 יחידות חדשות מק originales במלאי

12891839

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

DMN30H4D0L-7 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Diodes Incorporated

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

300 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

250mA (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

4Ohm @ 300mA, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

3V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

7.6 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

187.3 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

310mW (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

SOT-23-3

חבילה / מארז

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

מספר מוצר בסיסי

DMN30

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

DMN30H4D0L-7-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

DMN30H4D0L-7DITR

DMN30H4D0L-7DICT

DMN30H4D0L-7DIDKR

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

taiwan-semiconductor

TSM60NB150CF C0G

MOSFET N-CH 600V 24A ITO220S

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K15AMFV,L3F

MOSFET N-CH 30V 100MA VESM

diodes

DMN3010LSS-13

MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP

diodes

DMG4N60SJ3

MOSFET N-CH 600V 3A TO251