מספר מוצר של יצרן:
DMN3061SVT-7
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMN3061SVT-7-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 30V 3.4A TSOT23-6
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 3.4A (Ta) 1.08W (Ta) Surface Mount TSOT-23-6
מלאי:
12883607
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMN3061SVT-7 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.4A (Ta)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
-
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6.6nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
278pF @ 15V
הספק - מקס'
1.08W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
חבילת מכשירים לספקים
TSOT-23-6
מספר מוצר בסיסי
DMN3061
מידע נוסף
שמות אחרים
DMN3061SVT-7DI
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMP3056LSDQ-13
MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SO
DMN3022LFG-7
MOSFET 2N-CH 30V 7.6A PWRDI3333
DMC25D1UVT-7
MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26
