מספר מוצר של יצרן:
DMN3035LWN-13
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMN3035LWN-13-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 5.5A 8VDFN
תיאור מפורט:
Mosfet Array 5.5A (Ta) Surface Mount V-DFN3020-8
מלאי:
12901204
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMN3035LWN-13 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
-
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5.5A (Ta)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
35mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
4.5nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
399pF @ 15V
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
חבילת מכשירים לספקים
V-DFN3020-8
מספר מוצר בסיסי
DMN3035
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
10,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMN61D8LVT-13
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
HUFA76504DK8T
MOSFET 2N-CH 80V 8SOIC
DMT3022UEV-7
MOSFET 2N-CH 30V 17A POWERDI3333
