מספר מוצר של יצרן:

DMN3016LDN-13

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMN3016LDN-13-DG

תיאור:

MOSFET 2N-CH 9.2A 8VDFN

תיאור מפורט:

Mosfet Array 9.2A (Ta) Surface Mount V-DFN3030-8 (Type J)

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12882732

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

DMN3016LDN-13 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET

יצרן

Diodes Incorporated

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

תצורה

2 N-Channel (Dual)

תכונת FET

-

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

9.2A (Ta)

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

20mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

11.3nC @ 4.5V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1415pF @ 15V

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-PowerVDFN

חבילת מכשירים לספקים

V-DFN3030-8 (Type J)

מספר מוצר בסיסי

DMN3016

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

DMN3016LDN-13-DG

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית

10,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

diodes

DMC2710UVT-13

MOSFET N/P-CH 20V 1.2A TSOT23-6

diodes

DMN3032LFDB-7

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN

diodes

DMC3016LDV-7

MOSFET N/P-CH 30V 21A PWRDI3333

diodes

DMC4040SSDQ-13

MOSFET N/P-CH 40V 7.5A 8SO