מספר מוצר של יצרן:

DMN3008SCP10-7

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMN3008SCP10-7-DG

תיאור:

MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415

תיאור מפורט:

N-Channel 30 V 14.6A (Ta) 2.7W (Ta)

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12895021

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

DMN3008SCP10-7 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Diodes Incorporated

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

30 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

14.6A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

7.8mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.3V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

31.3 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1476 pF @ 15 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.7W (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

-

חבילת מכשירים לספקים

-

חבילה / מארז

-

מספר מוצר בסיסי

DMN3008

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

DMN3008SCP10-7-DG

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

diodes

DMTH10H025LK3-13

MOSFET N-CH 100V 51.7A TO252

TSM680P06CI C0G

MOSFET P-CH 60V 18A ITO220

diodes

DMP3007LSS-13

MOSFET P-CH 30V 14A 8SO T&R 2

taiwan-semiconductor

TSM4N70CH C5G

MOSFET N-CH 700V 3.5A TO251