מספר מוצר של יצרן:
DMN2990UFB-7B
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMN2990UFB-7B-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 20V 780MA 3DFN
תיאור מפורט:
N-Channel 20 V 780mA (Ta) 520mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
מלאי:
10000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12904577
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMN2990UFB-7B מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
780mA (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
990mOhm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 250A
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
0.41 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
31 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
520mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
X1-DFN1006-3
חבילה / מארז
3-UFDFN
מספר מוצר בסיסי
DMN2990
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
31-DMN2990UFB-7BTR
DMN2990UFB-7B-DG
31-DMN2990UFB-7BCT
31-DMN2990UFB-7BDKR
חבילה סטנדרטית
10,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFH21N50Q
MOSFET N-CH 500V 21A TO247AD
IRF640S
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
ZVN4525E6TA
MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6
