DMN2029USD-13

מספר מוצר של יצרן:

DMN2029USD-13

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMN2029USD-13-DG

תיאור:

MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO

תיאור מפורט:

Mosfet Array 20V 5.8A 1.2W Surface Mount 8-SO

מלאי:

10847 יחידות חדשות מק originales במלאי

12887629

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

DMN2029USD-13 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET

יצרן

Diodes Incorporated

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

תצורה

2 N-Channel (Dual)

תכונת FET

Logic Level Gate

ניקוז למתח מקור (Vdss)

20V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

5.8A

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

25mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

1.5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

18.6nC @ 8V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1171pF @ 10V

הספק - מקס'

1.2W

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

חבילת מכשירים לספקים

8-SO

מספר מוצר בסיסי

DMN2029

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

DMN2029USD-13-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

DMN2029USD-13DITR

DMN2029USD-13DICT

DMN2029USD-13DIDKR

חבילה סטנדרטית

2,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

diodes

DMTH6016LSDQ-13

MOSFET 2N-CH 60V 7.6A 8SO

diodes

DMC2041UFDB-13

MOSFET N/P-CH 20V 4.7A 6UDFN

diodes

DMC2041UFDB-7

MOSFET N/P-CH 20V 4.7A 6UDFN

diodes

DMC2053UVT-13

MOSFET N/P-CH 20V 4.6A TSOT26