מספר מוצר של יצרן:
DMN2025UFDB-13
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMN2025UFDB-13-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 20V 6A 6UDFN
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
מלאי:
12888607
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMN2025UFDB-13 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6A (Ta)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
25mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
12.3nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
486pF @ 10V
הספק - מקס'
700mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
6-UDFN Exposed Pad
חבילת מכשירים לספקים
U-DFN2020-6 (Type B)
מספר מוצר בסיסי
DMN2025
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
10,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMC4029SSD-13
MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A 8SO
DMC2057UVT-13
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.3A TSOT26
DMG9933USD-13
MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8SO
