DMN2013UFX-7

מספר מוצר של יצרן:

DMN2013UFX-7

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMN2013UFX-7-DG

תיאור:

MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN

תיאור מפורט:

Mosfet Array 20V 10A (Ta) 2.14W Surface Mount W-DFN5020-6

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12891987

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

DMN2013UFX-7 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET

יצרן

Diodes Incorporated

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

תצורה

2 N-Channel (Dual) Common Drain

תכונת FET

-

ניקוז למתח מקור (Vdss)

20V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

10A (Ta)

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

11.5mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

1.1V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

57.4nC @ 8V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

2607pF @ 10V

הספק - מקס'

2.14W

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

כיתה

Automotive

ההסמכה

AEC-Q101

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

6-VFDFN Exposed Pad

חבילת מכשירים לספקים

W-DFN5020-6

מספר מוצר בסיסי

DMN2013

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

DMN2013UFX-7-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

DMN2013UFX-7DITR

DMN2013UFX-7DIDKR

DMN2013UFX-7DICT

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

diodes

DMG6301UDW-7

MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363

diodes

DMC21D1UDA-7B

MOSFET N/P-CH 20V 0.455A 6DFN

diodes

DMN2004DWK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363

DMNH6065SPDW-13

MOSFET 2N-CH 60V 27A POWERDI50