DMN2013UFDE-7

מספר מוצר של יצרן:

DMN2013UFDE-7

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMN2013UFDE-7-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN

תיאור מפורט:

N-Channel 20 V 10.5A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)

מלאי:

3000 יחידות חדשות מק originales במלאי

12888027

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

DMN2013UFDE-7 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Diodes Incorporated

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

20 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

10.5A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

11mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

1.1V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

25.8 nC @ 8 V

VGS (מקס')

±8V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

2453 pF @ 10 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

660mW (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

U-DFN2020-6 (Type E)

חבילה / מארז

6-PowerUDFN

מספר מוצר בסיסי

DMN2013

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

DMN2013UFDE-7-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

DMN2013UFDE-7DICT

DMN2013UFDE-7DITR

DMN2013UFDE7

DMN2013UFDE-7DIDKR

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

diodes

DMN2011UFDE-13

MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN

diodes

DMNH6021SK3-13

MOSFET N-CH 60V 50A TO252

diodes

DMN4034SSS-13

MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO

diodes

DMG4468LFG-7

MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN