DMN1008UFDFQ-13

מספר מוצר של יצרן:

DMN1008UFDFQ-13

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMN1008UFDFQ-13-DG

תיאור:

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6

תיאור מפורט:

N-Channel 12 V 12.2A (Ta) 700mW Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

13000688

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

DMN1008UFDFQ-13 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Diodes Incorporated

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

12 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

12.2A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

8mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

1V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

23.4 nC @ 8 V

VGS (מקס')

±8V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

995 pF @ 6 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

700mW

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

כיתה

Automotive

ההסמכה

AEC-Q101

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

U-DFN2020-6 (Type F)

חבילה / מארז

6-UDFN Exposed Pad

מספר מוצר בסיסי

DMN1008

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים

31-DMN1008UFDFQ-13TR

חבילה סטנדרטית

10,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

diodes

DMN6069SFVWQ-7

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333

diodes

DMN2710UWQ-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R

onsemi

NVMFWS021N10MCLT1G

PTNG 100V LL SO8FL

goford-semiconductor

G50N03J

MOSFET N-CH 30V 65A TO-251