מספר מוצר של יצרן:
DMN1008UFDF-7
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMN1008UFDF-7-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
תיאור מפורט:
N-Channel 12 V 12.2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
מלאי:
2425 יחידות חדשות מק originales במלאי
12884427
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMN1008UFDF-7 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
12 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12.2A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
23.4 nC @ 8 V
VGS (מקס')
±8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
995 pF @ 6 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
700mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
U-DFN2020-6 (Type F)
חבילה / מארז
6-UDFN Exposed Pad
מספר מוצר בסיסי
DMN1008
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
31-DMN1008UFDF-7CT
DMN1008UFDF-7-DG
31-DMN1008UFDF-7TR
31-DMN1008UFDF-7DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
DMN1008UFDF-13
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
39895
DiGi מספר חלק
DMN1008UFDF-13-DG
מחיר ליחידה
0.09
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMT10H025SK3-13
MOSFET N-CH 100V 41.2A TO252 T&R
DMN3110LCP3-7
MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
DMPH4023SK3-13
MOSFET P-CH 40V 50A TO252 T&R
