DMN1002UCA6-7

מספר מוצר של יצרן:

DMN1002UCA6-7

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMN1002UCA6-7-DG

תיאור:

MOSFET 2N-CH X4-DSN3118-6

תיאור מפורט:

Mosfet Array 1.1W Surface Mount X4-DSN3118-6

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12902665

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

DMN1002UCA6-7 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET

יצרן

Diodes Incorporated

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

תצורה

2 N-Channel (Dual) Common Drain

תכונת FET

-

ניקוז למתח מקור (Vdss)

-

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

-

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

-

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

-

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

68.6nC @ 4V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

-

הספק - מקס'

1.1W

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

6-SMD, No Lead

חבילת מכשירים לספקים

X4-DSN3118-6

מספר מוצר בסיסי

DMN1002

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

DMN1002UCA6-7-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

DMN1002UCA6-7DITR

DMN1002UCA6-7DICT

DMN1002UCA6-7DIDKR

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

diodes

ZXMN6A09DN8TA

MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO

diodes

ZXMN6A09DN8TC

MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO

diodes

ZXMC3AM832TA

MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP

KGF20N035D

MOSFET N-CH 20WLCSP