מספר מוצר של יצרן:
DMJ70H600HK3-13
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMJ70H600HK3-13-DG
תיאור:
MOSFET BVDSS: 651V~800V TO252 T&
תיאור מפורט:
N-Channel 700 V 7.6A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
מלאי:
12994124
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMJ70H600HK3-13 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
700 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7.6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
600mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
17.4 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
570 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
90W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252 (DPAK)
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
DMJ70
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
31-DMJ70H600HK3-13TR
31-DMJ70H600HK3-13DKR
31-DMJ70H600HK3-13CT
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMT10H4M9LPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI50
DMP2900UFBQ-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
BUK7Y59-60E/DMANX
MOSFET