DMJ70H1D3SJ3

מספר מוצר של יצרן:

DMJ70H1D3SJ3

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMJ70H1D3SJ3-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

תיאור מפורט:

N-Channel 700 V 4.6A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12888383

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

DMJ70H1D3SJ3 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Diodes Incorporated

אריזות

-

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

700 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

4.6A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

1.3Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

13.9 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±30V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

351 pF @ 50 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

41W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 155°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

TO-251

חבילה / מארז

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

מספר מוצר בסיסי

DMJ70

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

DMJ70H1D3SJ3-DG

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית

75

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

diodes

DMP3007SCG-7

MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN

diodes

DMP32D4S-13

MOSFET P-CH 30V 300MA SOT23

diodes

DMG2302UK-7

MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23

diodes

DMT6005LCT

MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB