DMG5802LFX-7

מספר מוצר של יצרן:

DMG5802LFX-7

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMG5802LFX-7-DG

תיאור:

MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN

תיאור מפורט:

Mosfet Array 24V 6.5A 980mW Surface Mount W-DFN5020-6

מלאי:

2929 יחידות חדשות מק originales במלאי

12884222

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

DMG5802LFX-7 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET

יצרן

Diodes Incorporated

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

תצורה

2 N-Channel (Dual) Common Drain

תכונת FET

Logic Level Gate

ניקוז למתח מקור (Vdss)

24V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

6.5A

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

15mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

1.5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

31.3nC @ 10V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1066.4pF @ 15V

הספק - מקס'

980mW

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

6-VFDFN Exposed Pad

חבילת מכשירים לספקים

W-DFN5020-6

מספר מוצר בסיסי

DMG5802

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

DMG5802LFX-7-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

DMG5802LFX-7DITR-DG

DMG5802LFX-7DICT

DMG5802LFX-7DICT-DG

DMG5802LFX7

DMG5802LFX-7DITR

DMG5802LFX-7DIDKR

DMG5802LFX-7DIDKR-DG

31-DMG5802LFX-7CT

31-DMG5802LFX-7TR

31-DMG5802LFX-7DKR

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

diodes

DMNH6042SSD-13

MOSFET 2N-CH 60V 16.7A 8SO

diodes

DMC25D0UVT-13

MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT23

diodes

DMP4025LSD-13

MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO

diodes

DMN1150UFL3-7

MOSFET 2N-CH 12V 2A 6DFN