מספר מוצר של יצרן:
DMG4N60SK3-13
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMG4N60SK3-13-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO252 T&R
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 3.7A (Tc) 48W (Ta) Surface Mount TO-252-3
מלאי:
12884910
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMG4N60SK3-13 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.7A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
14.3 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
532 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
48W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252-3
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
DMG4
מידע נוסף
שמות אחרים
DMG4N60SK3-13DITR
DMG4N60SK3-13DICT
DMG4N60SK3-13DIDKR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FQD5N60CTM
יצרן
onsemi
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
FQD5N60CTM-DG
מחיר ליחידה
0.42
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IXTY2N65X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXTY2N65X2-DG
מחיר ליחידה
0.81
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMN2046U-13
MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23
DMP4013SPSQ-13
MOSFET P-CH 40V 11A PWRDI5060
DMP2047UCB4-7
MOSFET P-CH 20V 4.1A U-WLB1010-4
