DMG4800LSD-13

מספר מוצר של יצרן:

DMG4800LSD-13

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMG4800LSD-13-DG

תיאור:

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO

תיאור מפורט:

Mosfet Array 30V 7.5A 1.17W Surface Mount 8-SO

מלאי:

15950 יחידות חדשות מק originales במלאי

12882367

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

DMG4800LSD-13 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET

יצרן

Diodes Incorporated

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

תצורה

2 N-Channel (Dual)

תכונת FET

Logic Level Gate

ניקוז למתח מקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

7.5A

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

16mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

1.6V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

8.56nC @ 5V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

798pF @ 10V

הספק - מקס'

1.17W

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

חבילת מכשירים לספקים

8-SO

מספר מוצר בסיסי

DMG4800

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

DMG4800LSD-13-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

DMG4800LSD-13DIDKR

DMG4800LSD13

DMG4800LSD-13DITR

DMG4800LSD-13DICT

חבילה סטנדרטית

2,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

diodes

2N7002VAC-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563

DMT3022UEV-13

MOSFET 2N-CH 30V 17A POWERDI3333

diodes

DMP2200UDW-7

MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363

diodes

2N7002DWS-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.247A SOT363