DMC6070LND-13

מספר מוצר של יצרן:

DMC6070LND-13

Product Overview

יצרן:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics מספר חלק:

DMC6070LND-13-DG

תיאור:

MOSFET N/P-CH 60V 3.1A PWRDI3333

תיאור מפורט:

Mosfet Array 60V 3.1A, 2.4A 1.4W Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UXB)

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12903295

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

DMC6070LND-13 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET

יצרן

Diodes Incorporated

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

תצורה

N and P-Channel

תכונת FET

-

ניקוז למתח מקור (Vdss)

60V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

3.1A, 2.4A

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

85mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

3V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

11.5nC @ 10V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

731pF @ 20V

הספק - מקס'

1.4W

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-PowerVDFN

חבילת מכשירים לספקים

PowerDI3333-8 (Type UXB)

מספר מוצר בסיסי

DMC6070

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

DMC6070LND-13-DG

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

diodes

ZXMN3AMCTA

MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8DFN

diodes

ZXMP6A17DN8TA

MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8SO

diodes

BSS138DW-7-F

MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363

diodes

ZXMN3A06DN8TC

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO