מספר מוצר של יצרן:
DMC1030UFDBQ-13
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMC1030UFDBQ-13-DG
תיאור:
MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN
תיאור מפורט:
Mosfet Array 12V 5.1A 1.36W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
מלאי:
12884561
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMC1030UFDBQ-13 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
N and P-Channel Complementary
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
12V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5.1A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
23.1nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1003pF @ 6V
הספק - מקס'
1.36W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
6-UDFN Exposed Pad
חבילת מכשירים לספקים
U-DFN2020-6 (Type B)
מספר מוצר בסיסי
DMC1030
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
10,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMC4029SK4-13
MOSFET N/P-CH 40V 8.3A TO252-4L
DMN2004VK-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
DMG1023UVQ-13
MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563
