מספר מוצר של יצרן:
BSS8402DW-7-F
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
BSS8402DW-7-F-DG
תיאור:
MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
תיאור מפורט:
Mosfet Array 60V, 50V 115mA, 130mA 200mW Surface Mount SOT-363
מלאי:
810 יחידות חדשות מק originales במלאי
12883871
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSS8402DW-7-F מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
N and P-Channel
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60V, 50V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
115mA, 130mA
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
-
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
50pF @ 25V, 45pF @ 25V
הספק - מקס'
200mW
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
חבילת מכשירים לספקים
SOT-363
מספר מוצר בסיסי
BSS8402
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
BSS8402DW-FDITR
BSS8402DW-FDIDKR
BSS8402DW7F
BSS8402DW-FDICT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMN2990UDJ-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT963
DMC1229UFDB-7
MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN
DMG8601UFG-7
MOSFET 2N-CH 20V 6.1A 8DFN
