מספר מוצר של יצרן:
BS107PSTOB
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
BS107PSTOB-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 120mA (Ta) 500mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
מלאי:
12888358
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BS107PSTOB מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
120mA (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.6V, 5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
30Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
-
VGS (מקס')
±20V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
500mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
E-Line (TO-92 compatible)
חבילה / מארז
E-Line-3
מספר מוצר בסיסי
BS107
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMP2010UFV-13
MOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333
DMP2021UTSQ-13
MOSFET BVDSS: 8V 24V TSSOP-8 T&R
DMP25H18DLFDE-7
MOSFET P-CH 250V 260MA 6UDFN
