מספר מוצר של יצרן:
CP775-CWDM3011P-CM
Product Overview
יצרן:
Central Semiconductor Corp
DiGi Electronics מספר חלק:
CP775-CWDM3011P-CM-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 30V 11A DIE
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount Die
מלאי:
12954362
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
CP775-CWDM3011P-CM מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Central Semiconductor
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
11A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
20mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
80 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3100 pF @ 8 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
Die
חבילה / מארז
Die
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
1514-CP775-CWDM3011P-CM
חבילה סטנדרטית
100
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI5418DU-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
SD214DE TO-72 4L
HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO
SIDR104ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
