מספר מוצר של יצרן:
CP406-CWDM3011N-CT
Product Overview
יצרן:
Central Semiconductor Corp
DiGi Electronics מספר חלק:
CP406-CWDM3011N-CT-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 9.93A (Ta) 1.15W (Ta) Surface Mount Die
מלאי:
12953918
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
CP406-CWDM3011N-CT מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Central Semiconductor
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9.93A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
13mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
VGS (מקס')
±20V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.15W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
Die
חבילה / מארז
Die
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
1514-CP406-CWDM3011N-CT
חבילה סטנדרטית
340
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIR870BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
IRFP360PBF
MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3
NVTFS6H888NLWFTAG
MOSFET N-CH 80V 4.9A/14A 8WDFN
