מספר מוצר של יצרן:
AS2302
Product Overview
יצרן:
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
DiGi Electronics מספר חלק:
AS2302-DG
תיאור:
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
תיאור מפורט:
N-Channel 20 V 3A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23
מלאי:
26141 יחידות חדשות מק originales במלאי
13001597
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
AS2302 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Anbon Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
55mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.25V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
3.81 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
220 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
700mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-23
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
מידע נוסף
שמות אחרים
4530-AS2302TR
4530-AS2302CT
4530-AS2302DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IQE013N04LM6CGSCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
JANSR2N7591U3
RH MOSFET _ U3
IPB95R450PFD7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 13.3A TO263-3
