מספר מוצר של יצרן:
AOTF3N100
Product Overview
יצרן:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
AOTF3N100-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220-3F
תיאור מפורט:
N-Channel 1000 V 2.8A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F
מלאי:
12849636
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
AOTF3N100 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1000 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.8A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
20 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
830 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
38W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220F
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
AOTF3
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
5202-AOTF3N100
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDPF680N10T
MOSFET N-CH 100V 12A TO220F
FDB9409-F085
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
FQB7N80TM_AM002
MOSFET N-CH 800V 6.6A D2PAK
