מספר מוצר של יצרן:
AONV210A60
Product Overview
יצרן:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
AONV210A60-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 4.1A/20A 4DFN
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 4.1A (Ta), 20A (Tc) 8.3W (Ta), 208W (Tc) Surface Mount 4-DFN (8x8)
מלאי:
12938187
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
AONV210A60 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
aMOS5™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.1A (Ta), 20A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
210mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
34 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1935 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
8.3W (Ta), 208W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
4-DFN (8x8)
חבילה / מארז
4-PowerTSFN
מספר מוצר בסיסי
AONV210
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
785-AONV210A60TR
785-AONV210A60CT
785-AONV210A60DKR
5202-AONV210A60TR
חבילה סטנדרטית
3,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AONS32302
MOSFET N-CH 30V 56A/220A 8DFN
AONS66400
MOSFET N-CH 40V 5X6 DFN
PMXB65UPE147
P-CHANNEL MOSFET
