AON6482

מספר מוצר של יצרן:

AON6482

Product Overview

יצרן:

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

DiGi Electronics מספר חלק:

AON6482-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 5.5A/28A 8DFN

תיאור מפורט:

N-Channel 100 V 5.5A (Ta), 28A (Tc) 2.5W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)

מלאי:

5986 יחידות חדשות מק originales במלאי

12930765

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

AON6482 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

100 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

5.5A (Ta), 28A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

37mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.7V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

44 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

2000 pF @ 50 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

2.5W (Ta), 63W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

8-DFN (5x6)

חבילה / מארז

8-PowerSMD, Flat Leads

מספר מוצר בסיסי

AON648

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

785-1229-6

5202-AON6482TR

785-1229-2

785-1229-1

חבילה סטנדרטית

3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

alpha-and-omega-semiconductor

AOI4T60

MOSFET N-CH 600V 4A TO251A

alpha-and-omega-semiconductor

AOT1100L

MOSFET N-CH 100V 8A/130A TO220

infineon-technologies

BTS130-E3045A

N-CHANNEL POWER MOSFET

infineon-technologies

IPP114N03LG

N-CHANNEL POWER MOSFET