מספר מוצר של יצרן:
AON5810
Product Overview
יצרן:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
AON5810-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V 7.7A 1.6W Surface Mount 6-DFN-EP (2x5)
מלאי:
12848657
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
AON5810 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual) Common Drain
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7.7A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
18mOhm @ 7.7A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
13.1nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1360pF @ 10V
הספק - מקס'
1.6W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
6-WFDFN Exposed Pad
חבילת מכשירים לספקים
6-DFN-EP (2x5)
מספר מוצר בסיסי
AON581
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDS8958B
MOSFET N/P-CH 30V 6.4A 8SOIC
FW276-TL-2H
MOSFET 2N-CH 450V 0.7A 8SOIC
AO4830L
MOSFET 2N-CH 80V 3.5A 8SOIC
