מספר מוצר של יצרן:
AOC3878
Product Overview
יצרן:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
AOC3878-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 12V 35A 10DFN
תיאור מפורט:
Mosfet Array 12V 35A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount 10-AlphaDFN (3.55x1.77)
מלאי:
12995838
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
AOC3878 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel
תכונת FET
Standard
ניקוז למתח מקור (Vdss)
12V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
35A (Ta)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2Ohm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
60nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
-
הספק - מקס'
3.1W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
10-SMD, No Lead
חבילת מכשירים לספקים
10-AlphaDFN (3.55x1.77)
מספר מוצר בסיסי
AOC387
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
5202-AOC3878TR
785-AOC3878TR
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AOND62930
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A/7A 8DFN
AONY36306
MOSFET 2N-CH 30V 17.5A/32A 8DFN
AOCA32106E
MOSFET 2N-CH 12V 25A 10DFN