מספר מוצר של יצרן:
ALD110904PAL
Product Overview
יצרן:
Advanced Linear Devices Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
ALD110904PAL-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
תיאור מפורט:
Mosfet Array 10.6V 12mA, 3mA 500mW Through Hole 8-PDIP
מלאי:
13216850
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
ALD110904PAL מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Advanced Linear Devices
אריזות
Tube
סדרה
EPAD®
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
10.6V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12mA, 3mA
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
500Ohm @ 4.4V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
420mV @ 1µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
-
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2.5pF @ 5V
הספק - מקס'
500mW
טמפרטורת פעולה
0°C ~ 70°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילה / מארז
8-DIP (0.300", 7.62mm)
חבילת מכשירים לספקים
8-PDIP
מספר מוצר בסיסי
ALD110904
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
1014-1036
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
ALD310704ASCL
MOSFET 4P-CH 8V 16SOIC
ALD212908ASAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
ALD114813SCL
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
